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RTP快速退火炉助力半导体产业发展

时间:2024年04月01日 信息来源:本站原创 点击: 加入收藏 】【 字体:

化合物半导体在新能源、5G通信、物联网、AI人工智能等前沿技术领域中展现出了巨大的应用前景和发展空间,而随着SiC、GaN等第三代半导体材料被广泛使用,在应用升级的推动下,对于晶圆和化合物半导体的热处理技术要求也越来越高。传统的炉管退火工艺利用长时间的高温处理消除离子注入损伤、应力释放等,但存在缺陷消除不完全、退火时间长容易导致杂质再分布,温场控制困难等问题。因此需要一种退火温度可控、退火效率更高的新型退火方案。

RTP快速退火炉原理

RTP(Rapid Thermal Processing)快速退火炉是一种用于半导体器件制造和材料研究的设备,原理是通过控制加热和冷却过程中的温度和时间,以改变其性质或结构,从而实现对材料的精确控制和优化处理。


RTP结构示意图(图源网络)

RTP快速退火炉优势

RTP快速退火炉的快速升温过程和短暂的持续时间能够修复晶格缺陷,进而激活杂质,优化离子注入工艺后的导电性能。提供了更先进的温度控制,可以实现秒级退火,提高了退火效率的同时有效节约生产成本。

为满足市场高速发展的需求,银河娱乐官网8266c积极探索快速热退火应用方案,凭借多年技术优势及行业经验,自主研发推出RTP全自动双腔快速退火炉,广泛应用于IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产,和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、金属合金等,通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能。


银河娱乐官网8266cRTP快速退火炉技术优势

1.选用卤素红外灯作为热源,利用极快的升温速率,制程范围覆盖200-1250℃


2.强大的温场管理系统,均温曲线重合性高


3.独有专利的温度控制系统,实时对腔室温度进行监控并矫正


全自动双腔快速退火炉

适用于多规格尺寸(18片4英寸,8片6英寸,2片8英寸)硅片、第二代、第三代化合物材料等(包括但不限于磷化铟、砷化镓、碳化硅、氮化镓等各类衬底和外延片),拥有出色的热源和结构设计。

腔体架构采用上、下两片石英板的腔体设计,可支持真空制程功能,以双面卤素灯管为加热源,经由Robot从Cassette转移wafer至Chamber内进行快速退火制程,灯管功率 PID 控温,可精准控制温度升温,保证良好的温度重现性与温度均匀性。

全自动快速退火炉


①行业应用

氧化物、氮化物生长

硅化物合金退火

砷化镓工艺

欧姆接触快速合金

氧化回流

其他快速热处理工艺


②产品优势

采用平行气路进气方式,避免退火过程中冷点产生,保证产品良好的温度均匀性

大气与真空处理方式均可选择,进气前气体净化处理

适用于多规格尺寸(18片4英寸,8片6英寸,2片8英寸)硅片、第二代、第三代化合物材料等

4. 双面加热,可大幅减小图案加载效应,晶片上热的均匀性将更好

5. 1-5路气体配置(可定制),可抽真空腔体,带机械手臂Robot上下传片


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